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扩展X射线吸收EXAFS (5-12keV) | 瑆创光学电子商店

扩展X射线吸收EXAFS (5-12keV)

集成的XAFS解决方案

    这是一款完整的基于实验室的扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)和X射线吸收近边结构(XANES)测量解决方案。

    在紧凑的机身中,它集成了X射线管源、高分辨率光谱仪和混合探测器,以及一套用于控制仪器功能和数据分析的软件。光谱质量与同步加速器测量相当,因此无需申请束流时间。

    X射线管源和光谱仪覆盖5至12 keV的能量范围,因此包括3d过渡金属的K吸收边。光谱仪优化的HAPG von Hamos架构产生了极高的信噪比,导致分析物浓度在较低百分比时权重较低。该仪器结合了高效率和高光谱分辨率能力,高达E/ΔE = 4000,在覆盖的吸收边范围内保持不变。

image.jpg

 

特征    
桌面XAFS系统

同步加速器质量光谱

应用
  • 首个基于实验室的EXAFS和XANES集成解决方案
  • Beamtime无需申请
  • 快速多色采集
  • 能量范围5至12keV
  • 4000的高分辨率
  • 高达1keV的宽带通
  • 地质、生物学、材料研究的化学状态分析
  • 关于原子距离、氧化态、配位数字的信息
  • 三维过渡金属K吸收边的分析

元素范围

  • 用于EXAFS和XANES的hiXAS可访问的元素范围测量。

 

  • 即使分析物浓度仅为百分之几的稀释样品,也可在几分钟内完成测量。
image.JPG

 

Image.jpg

  • 10um铜箔的样品XAFS测量,比较实验室(红色)和同步加速器(黑色)结果。
  • EXAFS振荡(左)和相应的傅立叶变换(右)。
  • 采集时间:有样品3min,无样品1.5min。

 

  • 6微米厚镍箔的X射线吸收光谱。与(另一)光谱进行比较
  • 在同步加速器上获得(NSLS,分辨率E/ΔE=5000)
  • 显示桌面仪器的高质量结果。
  • 所有相关的光谱特征都存在,允许化合物的测定

应用

  • 化学形态和浓度比
  • 复合物研究
  • 短程有序和键长测定
  • 催化剂分析

 


产品规格

   规格  
   拓扑结构   X射线管源冯▪ 汉莫斯 HAPG 光谱仪混合探测器
   能量范围    5-12keV
  分析物浓度    拥有少数wt%
   样品架    用于多个样品的转塔底座
   足迹    2.0m x 1.0m
   软件套件   集成系统控制,各种光谱校准和分析功能

 

     EXAFS 模式    XANES 模式
   分辨率    1800    4000
   能量带通    1000eV    300eV
   采集时间    3min    8min

 


相关UV相机选项

产品
型号

maxCAM

easyCAM XF95
 传感器 e2v的背照CCD(1级),增强工艺,无涂层 e2v的前照CCD(1级),强化工艺 背照式sCMOS,无防反射涂层
波长 1-100nm( 最佳 QE) 50-300nm -
像素  1024 x 255 * 2048 x 2048
 像素大小  26 x 26 um 11um x 11 um
图像区域  26.7 x 6.7 mm 22.5mm x 22.5mm
 频谱率  200/s全垂直 bin, 1000/s 裁剪模式 80-1000eV; 200 nm-1100nm
 最低温度  -60° C 风冷 -50° C 在20° C室温
 井深  500 000 电子活动区域,  1 000 000 电子注册 90 000 e-
 读取噪音  12.5 等. 在 500kHz 1.6 e- (中位数)
 暗电流  0.004 e- /px/s 在 -60°C -
 线性度  >99% -
 真空兼容性  10-8mbar 10-7Pa(最大值)

 

相关光谱仪产品

产品型号 波长 (nm) 色散 分辨率
超轻型专业版 (XUV) 5 至 80 0.5 至  1.3nm/mm <0.028nm 在 40nm
易光 (XUV) 30 至 250 ~2.0nm/mm <0.1nm
高光(XUV) 1 至 100 - <0.1nm
最大亮度 (VUV) 40 至 200 0.9 至   1.6nm/mm <0.05nm 在120nm
易光 (VUV) 80 至  300 ~2.5nm/mm <0.1nm
X射线光谱
2-4 keV - 0.3eV
扩展的X射线光谱 5-12keV - -
近边缘X射线吸收
200 - 1200eV
- -

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