无掩膜紫外光刻机 | 瑆创光子学商店

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Products / 瑆创热销产品 /其他系统 /无掩膜紫外光刻机 /

无掩膜紫外光刻机

产品概述规格联系下单!

瑆创科技开发的无掩模紫外光刻机可以设计任何您想要的纳米图形，而无需昂贵的光刻板。瑆创科技的这款产品能在实现优越的光刻性能的同时，保证低成本以及更便捷的用户体验。

光束引擎将紫外激光束聚焦到衍射极限点并曝光光刻胶上的任何图案。对大尺寸晶圆，设备能实现精准的步进式光刻。光束引擎具有能够在 5 英寸晶圆上产生小于 (CD) 0.8µm 的特征。

* 瑆创新推出的Beam Lite，可以根据需要自由组合，为用户带来更灵活更实惠的最优选项。请即联系我们获取最新资讯。

袖珍

全功能无掩模光刻机，比台式电脑还小，价格更实惠。

强大

拥有亚微米分辨率，在不到两秒的时间内完成一个曝光图案的写入。

超快自动对焦

当与我们的闭环聚焦光学器件结合使用时，压电致动器在不到一秒的时间内完成聚焦。

毫不费力的多层对齐

几分钟内实现半自动多层对准。

想获取产品演示或样品测量

请即发送邮件info@simtrum.com

产品目录：下载

测量示例


开环谐振器阵列。右侧的分离距离为1.5µm (箭头)，左侧的分离距离为 2 µm。外圈直径为 80 µm。	硅衬底上的光刻胶微图案阵列。每个单元为 50 × 63 µm，相邻图案之间的间距为 3 µm。使用的光刻胶：AZ5214E

0.8 µm 锥形中间部分，侧面有 20 ✕ 90 µm 接触电极。使用的光刻胶：AZ5214E

软件特点

随附的软件可以快速完成任何图案工作；只需加载、对准和曝光。导航类似于 CNC 系统。在多层曝光期间，GDS 图案被覆盖以进行可视化。控制 GUI（左窗口）有一个加载的 GDS 的小地图，允许通过一键导航到晶圆上的任何区域。

Xplorer 主窗口		相机窗口

充当整个样本阶段的小地图。可以查看加载的图案和暴露区域。黑色 bos 显示 BEAM ENGINE 当前所在的区域。摄像头窗口上的实时视频也对应相同的区域。		摄像头窗口显示 BEAM ENGINE 下方的图案。相机窗口在对齐过程中也起着重要作用，其中选定的对齐特征显示在 amera 流上。

图案处理

NANYTE BEAM 的设计使完全曝光所需的步骤最少。根据图案化工作的复杂性，可以在 3 分钟内将图案加载、对齐和曝光到晶圆上。整个图案化工艺流程如下图所示：

产品规格

参数		BEAM	BEAM Lite
最小线宽		2 µm guaranteed, 0.8 µm achievable (0.8µm可实现）	3 µm guaranteed, 2 µm achievable (2µm可实现)
最小间距		1.6 µm achievable(可达到1.6 µm）	4 µm achievable (可达到4 µm)
曝光时间		< 2 s for 1 writefield（1个图案<2s)
最大写场		400 µm ✕ 400 µm	800 µm ✕ 800 µm
激光能量		40mW(Customizble可定制)
激光波长		405 nm	375/405 nm
激光振镜	步径	8 nm
	重复性	< 100 nm (static)
	速度	up to 200 mm/s
电动平台	编辑器分辨率	0.1 µm
	(1σ)载物台重复性	优于 0.3 µm
	移动区域	120 mm ✕ 120 mm
最大样本尺寸		130 mm ✕ 130 mm (> 5”)
晶圆对齐		支持多层工艺	支持单层工艺
接受的文件格式		.bmp, .png, .tiff, .gds, 自定义形状可以直接在软件中绘制
软件	图案	Nanyte BEAM Xplorer
	设计	KLayout (most powerful最强大), MS Paint/Powerpoint (rapid prototyping快速原型设计)
重量		少于20公斤
系统尺寸		330 ✕ 310 ✕ 340 mm

* 可升级为支持多层工艺，请联系我们了解更多资讯。

前视图

后视图

模块化光学设计

可更换的光学元件可最大限度地减少停机时间并提高可升级性。

定制选项可用于不同的波长和写场大小。联系我们 info@simtrum.com

了解更多信息。

运行需求

功率

BEAM 在 100-240 VAC 50-60j Hz 上运行。自动感应线路电压和频率；因此，无需设置任何开关。检查您所在地区的工作电压是否兼容。

放置环境

● 室内、无尘、近非导电污染（EN61010-1:2010 2 级）

● 桌面振动应保持在 VC-A (50 um/s) 以下

● 非超净间环境下可使用 (Vibration Reference link)

● 设备必须避免阳光直射

● 相对湿度 < 80%（无冷凝）

我们在这里为您服务！


给我们发电子邮件 info@simtrum.com 以获得今天最优惠的价格。		想要更多的技术信息?点击这里获取专业定制系统/解决方案。


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Compare	Model		Drawings & Specs	Availability	Reference Price (USD)
		UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM Maskless Lithography UV Direct Laser Writer system, minimum linewidth 2um guaranteed, 0.8 µm achievable, minimum pitch 1.6 µm achievable, exposure time < 2 s for 1 writefield, maximum writefield 400 µm ✕ 400 µm, laser power 40mW, laser wavelength 405nm		6-10 Weeks	Request for quote
		UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM Lite Maskless Lithography UV Direct Laser Writer system, minimum linewidth 3µm guaranteed, 2 µm achievable, minimum pitch 4 µm achievable, exposure time < 2 s for 1 writefield, maximum writefield 800 µm ✕ 800 µm, laser power 40mW, laser wavelength 375/405nm		6-10 Weeks	Request for quote

UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM Lite - Parameter

UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM - Parameter

UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM Lite - Download

UV Laser Writer - Maskless Lithography BEAM - Download

Accessories

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